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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMIKRON - SEMIX241DH16S - 电桥整流器 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:150mA
电流, It 平均:240A
电流, Itsm (50Hz):2.25kA
最大保持电流 (Ih):250mA
电压, Vgt:3V
工作温度范围:-40°C to +130°C
封装类型:SEMiX 13s
针脚数:20
封装类型:SEMiX
外宽:71.1mm
外部深度:23mm
外部长度/高度:137.8mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
温度 @ 电流测量:85°C
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:2250A
表面安装器件:螺丝安装
模块配置:3x 串联晶闸管 + 二极管
相数:3
输入电压 有效值:1600V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX341D16S - 电桥整流器 |
相数:三相
电压, Vrrm:1600V
正向电压 Vf 最大:1.75V
针脚数:5
外宽:71.1mm
外部深度:17mm
外部长??/高度:137.8mm
封装类型:SEMiX 13c
电流, If @ Vf:400A
电流, Ifs 最大:2500A
相数:3
表面安装器件:螺丝安装
输入电压 有效值:1600V
输出电流 最大:340A
隔离电压:4800V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXSR40N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
电压, Vceo:600V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:180ns
下降时间典型值:180ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.73°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:150A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXSR35N120BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:3.6V
最???功耗:250W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:180ns
下降时间:180ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最???功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国232 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.32°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国26 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国72 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国113 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR50N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:68A
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
最???功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:65ns
下降时间:65ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国6 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:56A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:170W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:32ns
下降时间:32ns
功耗:170W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:56A
热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡20
英国67 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
最???功耗:167W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:82ns
下降时间:82ns
功耗:167W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国319 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
最大功耗:167W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:82ns
下降时间:82ns
功耗:167W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国49 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR35N120B - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:3.3V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:160ns
下降时间:160ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
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1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170H1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:26A
饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:250ns
下降时间:250ns
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国202 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:26A
饱和电压, Vce sat 最大:5.2V
最???功耗:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:26A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国41 |
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