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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:16A
饱和电压, Vce sat 最大:5V
最大功耗:120W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:40ns
下降时间:40ns
功耗:120W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:16A
热阻, 结至外壳 A:1.04°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国307 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR120N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:45ns
下降时间:45ns
功耗:300W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - 晶体管 IGBT ISOI4-PAC |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:44A
饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOi4-PAC
封装类型:ISOi4-PAC
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:26A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:80ns
下降时间:80ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:28A
热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXER60N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:95A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:375W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:375W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:95A
热阻, 结至外壳 A:0.33°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXER35N120D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国210 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR35N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:125W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡20
英国35 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国38 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS13005CZ - 晶体管 NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
hFE, 最大:40
hFE, 最小:8
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:2W
晶体管类型:HV Bipolar
最小增益带宽 ft:4MHz
电压, Vcbo:700V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 最大值:40
直流电流增益 hfe, 最小值:8
结温, Tj 最高:150°C
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS13003CT - 晶体管 NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:20
封装类型:TO-92
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:400ns
时间, t on:500ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.5A
电压, Vcbo:700V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:8
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:ECB
饱和电压, Vce sat 最大:3V
饱和电流, Ic:1.5A
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无库存 |
1 |
5 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):4.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:50W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
时间, trr 典型值:21ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:4.4ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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上海 0
新加坡 0
英国18 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX - 场效应管 MOSFET N 20V SOT-23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.4A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:1.25W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.25W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2.4A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.45V
阈值电压, Vgs th 最低:0.45V
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上海115
新加坡 0
英国25890 |
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