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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - PMWD26UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.03ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
SMD标号:26UN
功率, Pd:3.1W
器件标号:4
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电容值, Ciss 典型值:1366pF
电流, Id 连续:7.8A
电流, Idm 脉冲:31.3A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.04ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm
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上海 0
新加坡 0
英国2329 |
1 |
1 |
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NXP - PMWD19UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 |
晶体管极性:Dual N Channel
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.023ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
SMD标号:19UN
功率, Pd:2.3W
器件标号:4
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电容值, Ciss 典型值:1478pF
电流, Id 连续:5.6A
电流, Idm 脉冲:20A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.035ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.023ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - PMWD16UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 |
晶体管极性:Dual N Channel
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.019ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
SMD标号:16UN
功率, Pd:3.1W
器件标号:4
电压, Vgs 最高:10V
电容值, Ciss 典型值:1366pF
电流, Id 连续:9.9A
电流, Idm 脉冲:39.5A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - PMWD15UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 |
晶体管极性:Dual N Channel
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.0185ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.45V
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)
SMD标号:15UN
功率, Pd:4.2W
器件标号:2
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:12V
电容值, Ciss 典型值:1450pF
电流, Id 连续:11.6A
电流, Idm 脉冲:46.4A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.0285ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0185ohm
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - PHKD6N02LT - 场效应管 MOSFET N SO-8 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):20mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
功耗:4.17W
封装类型:SOIC
针脚数:8
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:PHKD6N02LT
功率, Pd:4.17W
排距:6.3mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:10.9A
电流, Idm 脉冲:44A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - PMGD8000LN - 场效应管 MOSFET 双 NN SOT-363 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:125mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
功耗:0.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
针脚数:6
封装类型:SOT-363
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
上升时间:7ns
下降时间:7ns
功率, Pd:0.2W
时间, t off:15ns
时间, t on:10ns
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.125A
电流, Idm 脉冲:0.25A
通态电阻, Rds on 最大:8ohm
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国4137 |
1 |
5 |
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NXP - PIP3202-DC - 场效应管 MOSFET N 智能型 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:50V
开态电??, Rds(on):0.04ohm
功耗:83.3W
封装类型:D2-PAK
封装类型:D2-PAK
引脚节距:1.27mm
晶体管数:1
晶体管类型:保护MOSFET
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
击穿电压, ESD:2.0kV
功率, Pd:83.3W
满功率温度:25°C
电流, Id 连续:16A
输入电压, 最低:1.2V
输入电压, 最高:3.0V
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停产 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 双MOSFET NP SO-8 |
晶体管极性:N+P 沟道
漏极电流, Id 最大值:4.5A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
外宽:6.2mm
外部深度:5.26mm
外部长度/高度:1.2mm
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:19nC
P沟道栅极电荷 Qg:16nC
功率, Pd:2.4W
最高电压, Vds P沟道:60V
漏极连续电流, Id N沟道(1):4.5A
漏极连续电流, Id P沟道:3.1A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:60V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:3.1A
电流, Idm 脉冲:30A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.055ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.075ohm
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上海 0
新加坡29
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9956A - 场效应管 MOSFET 双 NN 逻辑电平 SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
漏极电流, Id 最大值:3.7A
电??, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
功耗:2W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:c
SMD标号:NDS9956A
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:2W
排距:6.3mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:3.7A
电流, Idm 脉冲:15A
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上海 0
新加坡7
英国2356 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9953A - 场效应管 MOSFET 双 PP 逻辑电平 SO-8 |
晶体管极性:P沟道(双）
漏极电流, Id 最大值:3.7A
电??, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 @ Rds测量:-10V
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
功耗:2W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:c
SMD标号:NDS9953A
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:1.6W
排距:6.3mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电压, Vgs 最高:-20V
电流, Id 连续:2.9A
电流, Idm 脉冲:10A
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上海15
新加坡2000
英国5868 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS8958 - 双MOSFET NP SO-8 |
晶体管极性:N与P沟道
漏极电流, Id 最大值:5.3A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
功耗:2W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:NDS8958
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:1.6W
功耗, N沟道 1:2W
功耗, P沟道 1:2W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:2.8V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:2.8V
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏极连续电流, Id N沟道(1):5.3A
漏极连续电流, Id P沟道:4A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds N沟道 1:30V
电压, Vds P沟道 1:30V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:15A
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上海 0
新加坡46
英国1457 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN6A09DN8 - 场效应管 MOSFET N 双 SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMN6A09D
功率, Pd:1.25W
总功率, Ptot:1.25W
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:5.2A
电流, Idm 脉冲:17.6A
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
5 |
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ZETEX - ZXMD63N02X - 场效应管 MOSFET 双 NN MSOP8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N沟道(双）
漏极电流, Id 最大值:2.4A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.13ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
功耗:1.25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:MSOP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MSOP8
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXM63N02
功率, Pd:1.04W
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2.4A
电流, Idm 脉冲:14A
通态电阻, Rds on 最大:0.13ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.7V
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上海 0
新加坡 0
英国1160 |
1 |
5 |
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ZETEX - ZXMD63C03X - 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8 |
模块配置:NP
晶体管极性:N沟道/P沟道互补
漏极电流, Id 最大值:2.3A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:MSOP
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MSOP8
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXM63C03
功率, Pd:1.04W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
温度 @ 电流测量:25°C
漏极连续电流, Id P沟道:2A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs Rds N沟道:10V
电压, Vgs Rds P沟道:10V
电流, Id 连续:2.3A
电流, Idm 脉冲:14A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.135ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.185ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英国596 |
1 |
5 |
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ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8 |
晶体管极性:N沟道/P沟道H-桥
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
功耗:1.7W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SM-8
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SM-8
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMHC6A07
功率, Pd:1.7W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
温度 @ 电流测量:25°C
漏极连续电流, Id P沟道:1.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs Rds N沟??:10V
电压, Vgs Rds P沟道:10V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1.8A
电流, Idm 脉冲:8.7A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:1.8ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:1.5ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海95
新加坡 0
英国149 |
1 |
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