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图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	DIODES INC. - ZXLD1366ET5TA - 芯片 LED驱动器 1A 60V TSOT23-5	驱动芯片类型:LED 拓扑结构:降压输入电压范围:6V to 60V 输出电压:60V 输出电???:1A 输出数:1 工作温度范围:-40°C to +125°C 封装类型:TSOT-23 针脚数:5 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) LED显示类型:LED 器件标号:1366 封装类型:TSOT-23 电源电压最大:60V 电源电压最小:6V 表面安装器件:表面安装	上海 0 新加坡17 英国3556	1	1
	DIODES INC. - ZXLD1356DACTC - 芯片 LED驱动器 550mA 60V TSOT23-5	驱动芯片类型:LED 拓扑结构:降压输入电压范围:6V to 60V 输出电压:60V 输出电流:550mA 输出数:1 工作温度范围:-40°C to +125°C 封装类型:DFN 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) LED显示类型:LED 器件标号:1356 封装类型:DFN 电源电压最大:60V 电源电压最小:6V 表面安装器件:表面安装	上海 0 新加坡 0 英国57	1	1
	DIODES INC. - ZXLD1356ET5TA - 芯片 LED驱动器 550mA 60V DFN633	驱动芯片类型:LED 拓扑结构:降压输入电压范围:6V to 60V 输出电压:60V 输出电流:550mA 输出数:1 工作温度范围:-40°C to +125°C 封装类型:TSOT-23 针脚数:5 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) LED显示类型:LED 器件标号:1356 封装类型:TSOT-23 电源电压最大:60V 电源电压最小:6V 表面安装器件:表面安装	上海 0 新加坡28 英国5882	1	1
	DIODES INC. - ZXSBMR16PT8TA - 肖特桥式整流器+续流二极管	相数:单相电压, Vrrm:40V 电流, If 平均:0.4A 正向电压 Vf 最大:640mV 功耗, Pd:1W 安装类型:SMD 针脚数:8 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SM-8 电流, Ifs 最大:13A 相数:1 表面安装器件:表面安装通态时间 @ IFSM测量:100μs	上海 0 新加坡 0 英国1954	1	1
	DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8	模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:Dual N 漏极电流, Id 最大值:7.1A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.028ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 功耗:2.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Id 连续:7.1A 电流, Idm 脉冲:33.6A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm 阈值电压, Vgs th 最低:1V	上海 0 新加坡 0 英国55	1	1
	DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4.6A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.047ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:1.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:4.6A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.047ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.065ohm 阈值电压, Vgs th 最低:1V	上海 0 新加坡53 英国2427	1	5
	DIODES INC. - ZXMN2F34MATA - 场效应管 MOSFET N沟道 DFN322	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:5.1A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:1.35W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:DFN322 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:DFN322 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:5.1A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.12ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.06ohm 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V	上海 0 新加坡200 英国572	1	5
	DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:1.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.12ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.06ohm 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V	上海 0 新加坡250 英国67	1	5
	DIODES INC. - ZXMN2F30FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4.9A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.045ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:960mW 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4.9A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.065ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V	上海 0 新加坡 0 英国642	1	1
	DIODES INC. - ZVN3310FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:100mA 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):10ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:2.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:MF 功率, Pd:0.33W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高度:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:0.33W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电流, Id 连续:0.1A 电流, Idm 脉冲:2A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZVP3306FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-90mA 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):14ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:0.33W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:ML 功率, Pd:0.33W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高度:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:0.33W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-60V 电流, Id 连续:0.9A 电流, Idm 脉冲:1.6A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:1.4A 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):0.4ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:7N6 功率, Pd:625mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625mW 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:1A 电流, Idm 脉冲:4A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.4ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 阈值电压, Vgs th 最低:1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXMN3A01FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:2A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.12ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:7N3 功率, Pd:625mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625mW 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:2A 电流, Idm 脉冲:8A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器???:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 阈值电压, Vgs th 最低:1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXM61P03FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-1.1A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.35ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:625mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:P03 功率, Pd:625W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-30V 电流, Id 连续:1.1A 电流, Idm 脉冲:4.3A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面??装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.35ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V 阈值电压, Vgs th 最低:-1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXM61P02FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-900mA 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.6ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:-12V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:P02 功率, Pd:625W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V 电压, Vds 典型值:-20V 电流, Id 连续:0.9A 电流, Idm 脉冲:4.9A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V 阈值电压, Vgs th 最低:-0.7V	无库存	3,000	1
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