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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 2SK4067-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A TO251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.115ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国152 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3979-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 6A TO251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.45ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.2V
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上海 0
新加坡 0
英国68 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3977-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 10A TO251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.092ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国36 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3944-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.34ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.5W
封装类型:PCP
封装类型:PCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国358 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3614-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 4A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.145ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.5W
封装类型:PCP
封装类型:PCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国694 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3490-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.039ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.5W
封装类型:PCP
封装类型:PCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国277 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3092-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A TO251 |
晶体管极性:N
漏极???流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):2.3ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国70 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2631-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 1A TO251 |
晶体管极性:N
漏极???流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):10ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:30W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:800V
电流, Id 连续:1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国315 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2623-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 1.5A TO251 |
晶体管极性:N
???极电流, Id 最大值:1.5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):5.5ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国308 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2406-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 1A TO251 |
晶体管极性:N
漏极???流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):4.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国22 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HUF75639S3S - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - CSD25401Q3 - 场效应管 单N沟道 20V 8SON |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-60A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):8.7mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-12V
功耗:2.8W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SON
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SON
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.85V
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上海 0
新加坡 0
英国440 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - CSD25301W1015 - 场效应管 单N沟道 20V 6DSBGA |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.2A
电压, Vds 最大:-20V
开态???阻, Rds(on):62mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-8V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DSBGA
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DSBGA
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.75V
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上海 0
新加坡 0
英国2770 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - CSD23201W10 - 场效应管 单N沟道 12V 4DSBGA |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.2A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):65mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-6V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DSBGA
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DSBGA
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.6V
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DSS5160V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:160mV
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上海 0
新加坡 0
英国3100 |
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5 |
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