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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
POWEREX - C440PB - 晶闸管 SCR POWEREX - C440PB - 晶闸管 SCR
  • 晶闸管 SCR
  • 美国 0
    上海 0
    美国2
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - 1N3295A - 整流二极管 1KV (Vrrm) DO-8 POWEREX - 1N3295A - 整流二极管 1KV (Vrrm) DO-8
  • 整流二极管 1KV (Vrrm) DO-8
  • 美?? 0
    上海 0
    美国32
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKD 42F14 - 整流桥 SEMIKRON - SKKD 42F14 - 整流桥
  • 整流桥
  • 42A (IF)
  • 1.85V (VF)
  • A10
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - A187PE - 整流二极管 1.5KV (Vrrm) STF-3/8 POWEREX - A187PE - 整流二极管 1.5KV (Vrrm) STF-3/8
  • 整流二极管 1.5KV (Vrrm) STF-3/8
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - A187M - 整流二极管 600V (Vrrm) STF-3/8 POWEREX - A187M - 整流二极管 600V (Vrrm) STF-3/8
  • 整流二极管 600V (Vrrm) STF-3/8
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT340P14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT340P14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:2 NPN, 2 PNP
  • 晶体管极性:2 x NPN, 2 x PNP
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:350MHz
  • 集电极直流电流:20mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:14
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:340
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:340
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:340
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国27
    1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT340S14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT340S14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:2 NPN, 2 PNP
  • 晶体管极性:2 x NPN, 2 x PNP
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:350MHz
  • 集电极直流电流:20mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:14
  • 封装类型:SO
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:340
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:340
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:340
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国21
    1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT320P14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT320P14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:Quad
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:-40V
  • 截止频率 ft, 典型值:325MHz
  • 集电极直流电流:-20mA
  • 直流电流增益 hFE:75
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:14
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:320
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:-20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:320
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:320
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国9
    1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT320S14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT320S14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:Quad
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:-40V
  • 截止频率 ft, 典型值:325MHz
  • 集电极直流电流:-20mA
  • 直流电流增益 hFE:75
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:14
  • 封装类型:SO
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:320
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:-20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:320
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:320
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国27
    1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT300P14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT300P14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:Quad
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:350MHz
  • 集电极直流电流:20mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:14
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:300
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:300
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:300
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国98
    1 1 询价,无需注册 订购
    THAT CORPORATION - THAT300S14-U - 芯片 晶体管阵列 THAT CORPORATION - THAT300S14-U - 芯片 晶体管阵列
  • 模块配置:Quad
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:350MHz
  • 集电极直流电流:20mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:0°C to +70°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:14
  • 封装类型:SO
  • 晶体管数:4
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:300
  • 工作温度最低:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 最大连续电流, Ic:20mA
  • 电压, Vcc:200V
  • 芯片标号:300
  • 输出电压 最大:40V
  • 输出电流 最大:20mA
  • 通道数:4
  • 逻辑功能号:300
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国107
    1 1 询价,无需注册 订购
    CRYDOM - B614F-2T - 晶闸管模块 CRYDOM - B614F-2T - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • ???国 0
    上海 0
    美国3
    新加坡2
    1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - 1PS76SB40 - 肖特基二极管 SOD323 NXP - 1PS76SB40 - 肖特基二极管 SOD323
  • 二极管配置:单
  • 电压, Vr 最高:40V
  • 正向电流 If:120mA
  • 正向电压, 于If:1V
  • 总电容 Ct 最大值:5pF
  • 封装形式:SOD-323
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:RF Schottky
  • 器件标记:S4
  • 封装类型:SOD-323
  • 封装类型, 替代:SC-76
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 最大正向电流, If:120mA
  • 正向电压 Vf 最大:0.38V
  • 电压, Vrrm:40V
  • 电流, If @ Vf:1mA
  • 电流, If 平均:120mA
  • 电流, Ifs 最大:0.2A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:Band denotes cathode
  • 上海710
    新加坡 0
    英国 0
    1 5 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 最大功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-268
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-268
  • 开态电阻, Rds(on):1.05ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:2700pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:28A
  • 最大功耗:315W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-268
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:13ns
  • 功率, Pd:315W
  • 封装类型:TO-268
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:3000pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国24
    1 1 询价,无需注册 订购
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