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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS RF - IXFK24N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:24A
最大功耗:560W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:18ns
功率, Pd:560W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.39ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:6600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国34 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:500W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:16ns
功率, Pd:500W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK55N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
封装类型:TO-264
晶体管极性:N Channel
上升时间:20ns
功率, Pd:560W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电容值, Ciss 典型值:6700pF
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:44A
最大功耗:500W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:18ns
功率, Pd:500W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:6A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:2600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国144 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247AD
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
电流, Idm 脉冲:40A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZH16N60 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
封装类型:TO-247AD
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
电流, Idm 脉冲:90A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:24A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:18ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.39ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:6600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡1
英国19 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:20ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:6700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR08N120B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
上升时间:5ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR08N120A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:5ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE475-102N21A - 场效应管 MOSFET N RF DE475 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):0.41ohm
功耗:1.8kW
封装类型:DE-475
针脚数:6
上升时间:5ns
功率, Pd:1800W
封装类型:DE-475
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
电流, Id 连续:24A
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 5
新加坡 0
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