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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS RF - IXZH16N60 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
封装类型:TO-247AD
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
电流, Idm 脉冲:90A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:24A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:18ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.39ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:6600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡1
英国19 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:20ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:6700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR08N120B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
上升时间:5ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR08N120A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:5ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
最大功耗:3W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:880W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-375
晶体管极性:N
上升时间:5ns
功率, Pd:880W
封装类型:DE-375
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:16A
最大功耗:1.18kW
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275X2
晶体管极性:N
上升时间:2ns
功率, Pd:1180W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):0.8ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:1800pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡3
英国13 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ2211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
封装类型:DE-275X2
晶体管极性:N Channel
上升时间:4ns
功率, Pd:1180W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE275-201N25A - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:200V
电流, Id 连续:25A
最大功耗:590W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:5ns
功率, Pd:590W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:2500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
最大功耗:590W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:540W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:15A
最大功耗:6W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:125V
电容值, Ciss 典型值:425pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:10A
最大功耗:470W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:470W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:622pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:4.5A
最大功耗:200W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:150
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:200W
封装类型:150
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海2
新加坡 0
英国29 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:10A
最大功耗:470W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE275X2
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:175MHz
上升时间:16ns
功率, Pd:360W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:383pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
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无库存 |
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