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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - PD55015-E - 场效应管 MOSFET RF 15W 500MHZ |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:40V
电流, Id 连续:5A
最大功耗:73W
封装类型:PowerSO-10RF
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:73W
封装类型:PowerSO-10RF
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:12.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡3
英国126 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD54008-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ |
???体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:25V
电流, Id 连续:5A
封装类型:PowerSO-10RF (Formed Lead)
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:73W
封装类型:PowerSO-10RF
满功率温度:70°C
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD54003-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:25V
电流, Id 连续:4A
最大功耗:52.8W
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:PowerSO-10RF
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:52.8W
封装类型:PowerSO-10RF
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:7.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123 |
晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
电压, Vds 最大:65V
电流, Id 连续:1A
最大功耗:16W
噪声:5.5dB
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-123
截止频率 ft, 典型值:175MHz
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
表面安装器件:螺丝安装
功率, Pd:5W
器件标号:1
封装类型:SOT-123
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):3.3ohm
效率:50%
最小功率增益 Gp:13dB
漏极电流, Id 最大值:1A
电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
电压, Vds 典型值:28V
电容值, Ciss 典型值:13pF
电流, Idm 脉冲:1A
电流, Idss 最大:0.01mA
负载功率:16W
通态电阻, Rds on 最大:5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡2
英国74 |
1 |
1 |
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NXP - BF998 - 场效应管 MOSFET N RF 双栅极 SOT-143 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:12V
电流, Id 连续:30mA
最大功耗:200mW
噪声:1dB
封装类型:SOT-143
晶体管数:1
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:200mW
封装类型:SOT-143
应用代码:双门HFMOSFET
总功率, Ptot:200mW
最小正向跨导 Gfs:21mA/V
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:12V
电流, Idss 最大:18mA
电流, Idss 最小:2mA
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上海 0
新加坡120
英国12195 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):1.05ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:2700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:28A
最大功耗:315W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:13ns
功率, Pd:315W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:3000pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK24N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:24A
最大功耗:560W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:18ns
功率, Pd:560W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.39ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:6600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国34 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:500W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:16ns
功率, Pd:500W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK55N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
封装类型:TO-264
晶体管极性:N Channel
上升时间:20ns
功率, Pd:560W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电容值, Ciss 典型值:6700pF
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:44A
最大功耗:500W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:18ns
功率, Pd:500W
封装类型:TO-264
开态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:6A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:2600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国144 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:180W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:14ns
功率, Pd:180W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1870pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247AD
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
电流, Idm 脉冲:40A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
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