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图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:1.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.12ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.06ohm 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V	上海 0 新加坡250 英国67	1	5
	DIODES INC. - ZXMN2F30FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4.9A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.045ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:960mW 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4.9A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.065ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V	上海 0 新加坡 0 英国642	1	1
	DIODES INC. - ZVN3310FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:100mA 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):10ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:2.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:MF 功率, Pd:0.33W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高度:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:0.33W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电流, Id 连续:0.1A 电流, Idm 脉冲:2A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZVP3306FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-90mA 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):14ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:0.33W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:ML 功率, Pd:0.33W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高度:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:0.33W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-60V 电流, Id 连续:0.9A 电流, Idm 脉冲:1.6A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:1.4A 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):0.4ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:7N6 功率, Pd:625mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625mW 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:1A 电流, Idm 脉冲:4A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.4ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 阈值电压, Vgs th 最低:1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXMN3A01FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:2A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.12ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:7N3 功率, Pd:625mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625mW 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:2A 电流, Idm 脉冲:8A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器???:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 阈值电压, Vgs th 最低:1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXM61P03FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-1.1A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.35ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:625mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:P03 功率, Pd:625W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-30V 电流, Id 连续:1.1A 电流, Idm 脉冲:4.3A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面??装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.35ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V 阈值电压, Vgs th 最低:-1V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXM61P02FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-900mA 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.6ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:-12V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:P02 功率, Pd:625W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V 电压, Vds 典型值:-20V 电流, Id 连续:0.9A 电流, Idm 脉冲:4.9A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V 阈值电压, Vgs th 最低:-0.7V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZXM61N02FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:1.7A 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.18ohm 电压 @ Rds测量:4.5V 电压, Vgs 最高:12V 功耗:806mW 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:N02 功率, Pd:625W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:3000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:1.7A 电流, Idm 脉冲:7.4A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安???器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.18ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V 阈值电压, Vgs th 最低:0.7V	无库存	3,000	1
	DIODES INC. - ZVN2106GTA - 场效应管 MOSFET N SOT-223 每卷1K	晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:710mA 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):2ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:2W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-223 SMD标号:ZVN2106 功率, Pd:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:1000 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:0.7A 电流, Idm 脉冲:8A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V	无库存	1,000	1
	DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - 场效应管 MOSFET P SOT-223 每卷1K	晶体管极性:P沟道漏极电流, Id 最大值:-6.4A 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:3.9W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-223 针脚数:4 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:ZXMP4A16 功率, Pd:3.9W 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:3.9W 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 每卷数量:1000 温度 @ 电流测量:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-40V 电流, Id 连续:6.4A 电流, Idm 脉冲:21A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.06ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V 阈值电压, Vgs th 最低:-1V	上海 0 新加坡 0 英国1	1,000	1
	DIODES INC. - FZT600TA - 达林顿晶体管每卷1K	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:140V 截止频率 ft, 典型值:250MHz 功耗, Pd:2W 集电极直流电流:2A 直流??流增益 hFE:20000 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-223 SMD标号:FZT600 功耗:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管数:1 晶体管类型:功率达林顿最大连续电流, Ic:2A 最小增益带宽 ft:150MHz 每卷数量:1000 电压, Vcbo:160V 电流, Ic hFE:0.5A 电流, Ic 最大:2A 直流电流增益 hfe, 最小值:2000 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:1.1V	无库存	1,000	1
	DIODES INC. - FZT705TA - 达林顿晶体管每卷1K	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:120V 截止频率 ft, 典型值:160MHz 功耗, Pd:2W 集电极直流电流:2A 直流??流增益 hFE:3000 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-223 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:FZT705 功耗:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管数:1 晶体管类型:功率达林顿最大连续电流, Ic:2A 每卷数量:1000 电压, Vcbo:140V 电流, Ic hFE:1A 电流, Ic 最大:2A 直流电流增益 hfe, 最小值:3000 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:1.3V	无库存	1,000	1
	DIODES INC. - FZT605TA - 达林顿晶体管每卷1K	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:120V 截止频率 ft, 典型值:150MHz 功耗, Pd:2W 集电极直流电流:1.5A 直流电流增益 hFE:5000 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-223 SMD标号:FZT605 功耗:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管数:1 晶体管类型:功率达林顿最大连续电流, Ic:1.5A 最小增益带宽 ft:150MHz 每卷数量:1000 电压, Vcbo:140V 电流, Ic hFE:0.5A 电流, Ic 最大:1.5A 直流电流增益 hfe, 最小值:5000 表面安装器件:表面安装 ???和电压, Vce sat 最大:1V	无库存	1,000	1
	DIODES INC. - FMMT619TA - 晶体管 NPN 每卷3K	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:50V 截止频率 ft, 典型值:140MHz 功耗, Pd:625mW 集电极直流电流:2A 直流电流增益 hFE:450 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:619 功耗:625mW 器件标记:MT619 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:625mW 时间, t off:750ns 时间, t on:170ns 晶体管数:1 晶体管类型:通用小信号最大连续电流, Ic:2A 最小增益带宽 ft:100MHz 每卷数量:3000 电压, Vcbo:50V 电流, Ic hFE:200mA 电流, Ic 最大:2A 直流电流增益 hfe, 最小值:300 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:220mV	无库存	3,000	1
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