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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小增益带宽 ft

  • 1.5GHz
  • 0.4GHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 9.4A/V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.65V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • -0.65V
  • 1V

最高阈值电压, Vgs th P沟道

  • -1.5V
  • 3V
  • 2V

最大电流感应率 @ Id

  • 2900
  • 2880
  • 2940
  • 1480
  • 2970
  • 2720

总功率, Ptot

  • 625mW
  • 18W
  • 208W
  • 160W
  • 240W
  • 2W
  • 55W
  • 325W
  • 3.6W
  • 0.5W
  • 360W
  • 0.33W
  • 0.83W
  • 1.5W
  • 80W
  • 2.5W
  • 0.23W
  • 156W
  • 35W
  • 1.8W
  • 125W
  • 600W
  • 1.7W
  • 415W
  • 3.9W
  • 284W
  • 0.36W
  • 625W
  • 75W
  • 95W
  • 431W
  • 40W
  • 300W
  • 110W
  • 25W
  • 313W
  • 750W
  • 1W
  • 42W
  • 1.1W
  • 8.3W
  • 150W
  • 83W
  • 41W
  • 0.7W
  • 50W
  • 270W
  • 15W
  • 38W
  • 375W
  • 260W
  • 417W
  • 1.0W

重复雪崩电流, Iar

  • 5A
  • 8.5A
  • 21.5A
  • 9A
  • 4.4A
  • 4A
  • 2A
  • 8.6A
  • 30A
  • 1.6A
  • 3.5A
  • 5.8A
  • 20A
  • 32A
  • 14A
  • 26A
  • 5.5A
  • 6.2A
  • 6A
  • 3A
  • 10A
  • 7A
  • 1.8A

重量

  • 0.000036kg
  • 6g

正向电压 Vf 最大

  • 0.58V
  • 0.62V

针脚格式

  • 1 g
  • 1G, (2+Tab)D, 3S
  • 1 S1
  • 1G 2+插口 D 3S
  • 1 S
  • 1G,(2+Tab)D, 3S

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • G(1),D(2),S(3)
  • 1(G),2(D),3(S)
  • G(1),D(2)S(3)
  • 1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
  • 1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
  • D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
  • D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
  • 1(A),2(S),3(G),4(D),5(K)
  • S(1+2+3),D(5+6+7+8),G(4)
  • 1(G1),2(S2),3(G2),4(D2),5(S1),6(D1)
  • a
  • (1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
  • D(1+2+5+6), G(3), S(4)
  • D(1+2+5+6),S(4),G(3)
  • 1g, 2s, 3d
  • G(3), D(1,2,5,6), S(4)
  • 1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1
  • D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4)
  • 1(G), 2(D), 3(S)
  • G(1), S(2), D(3)
  • 1G 2 信号方位 3D 4+5 S
  • G(1),S(2,5,6),D(3,4)
  • A(1&2), S(3), G(4), C(7&8), D(6&5)
  • b
  • 1(G),2(D), 3(S), TAB(D)
  • 1G, 2Sense, 3D, (4+5)S
  • 1(G), 2(S),3(D)
  • D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3)
  • S(1), G(2), D(3)

针脚数

  • 3
  • 8
  • 5
  • 6
  • 10
  • 4
  • 2
  • 8
  • 7

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 0.6V
  • -0.6V
  • 4.9V
  • 1.1V
  • 1.35V
  • 800mV
  • -800mV
  • 1.6V
  • -1.6V
  • 3.75V
  • 8V
  • 5.4V
  • -1.25V
  • 1.25V
  • 0.38V
  • -1.4V
  • 1.4V
  • 1.75V
  • 3.8V
  • 5V
  • 0.85V
  • -0.85V
  • 2.6V
  • 2.35V
  • 3.9V
  • 3.5V
  • -0.64V
  • 2.9V
  • 4V
  • -4V
  • 1.45V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 0.95V
  • -0.95V
  • 1.68V
  • 3.15V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • -1.9V
  • 1.9V
  • -0.5V
  • 1.7V
  • -1.7V
  • 1.55V
  • 1.3V
  • 2V
  • -2V
  • 2.8V
  • 3.75V
  • 1.85V
  • -0.83V
  • -2.5V
  • 2.5V
  • 4.9V
  • 1.74V
  • 2.4V
  • 0.81V
  • 2.91V
  • 1.5V
  • -1.5V
  • 1.3V
  • 4.5V
  • 0.85V
  • 2.2V
  • 3.2V
  • 1.1V
  • 4.2V
  • 3V
  • -3V
  • 0.9V
  • -0.9V
  • 5V
  • -1.45V
  • 1V
  • -1V
  • -1.8V
  • 1.8V
  • 1.58V
  • -1.9V
  • 1.9V
  • 2.25V
  • 3V
  • -3V
  • 0.67V
  • 1.7V
  • -1.7V
  • 2.85V
  • -2.8V
  • 2.8V
  • 1.05V
  • -4.5V
  • 4.5V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • 2.4V
  • -0.45V
  • 0.45V
  • 900mV
  • -900mV
  • 2.35V
  • -0.8V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • -1.2V
  • 1.2V
  • 10V
  • 2.1V
  • 5.5V
  • 1.4V
  • -1.4V
  • 3.1V
  • 0.65V
  • -2.1V
  • 2.1V
  • 3.2V
  • 850mV
  • -0.72V
  • 2.25V
  • -1.2V
  • 2.6V
  • 2.9V
  • -0.86V
  • 20V
  • -4V
  • 4V
  • -1.75V
  • 1.75V
  • 0.6V
  • -2V
  • 2V
  • 2.3V
  • 1.8V
  • -0.9V
  • 0.5V
  • -0.5V
  • 5.5V
  • 2.32V
  • -1V
  • 1V
  • -0.88V
  • 820mV
  • -3.5V
  • 3.5V
  • 0.75V
  • 2.3V
  • 0.8V
  • -0.8V
  • 2.5V
  • -2.5V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • -0.8V
  • 2.1V
  • 0.5V
  • 0.1V
  • 1.2V
  • -1.2V
  • -3V
  • 3V
  • 0.45V
  • -3V
  • 3V
  • 0.3V
  • 1.35V
  • 1.4V
  • 1.55V
  • 1.3V
  • 0.65V
  • 2V
  • -2V
  • -1V
  • 1V
  • 0.45V
  • -0.45V
  • 3.5V
  • 0.4V
  • -0.4V
  • 0.35V
  • 1.6V
  • 2.8V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • 2.5V
  • -2.5V
  • 0.5V
  • 1.5V
  • 1.5V
  • -1.5V
  • -3.5V
  • 2V
  • -0.7V
  • 0.6V
  • -0.6V
  • -0.6V
  • 0.6V
  • -0.4V
  • 0.4V
  • 1.4V
  • 1.35V
  • 1V
  • -1V
  • 4V

阈值电压, Vgs th 最高

  • -3.5V
  • 3.5V
  • 2.2V
  • -2V
  • 2V
  • 4.5V
  • 0.7V
  • 4V
  • 2.25V
  • 5V
  • -5V
  • 3V
  • 2.4V
  • 1.4V
  • 4V
  • -4V
  • 4.8V
  • 2V
  • -2V
  • 3.9V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 2.7V
  • 4.4V
  • 2.6V
  • 5.5V
  • -0.45V
  • 4.9V
  • 0.85V
  • 5V
  • 2.5V
  • 1.3V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.8V
  • 1.2V
  • 2.35V
  • -3V
  • 3V
  • 2.45V
  • -1V
  • 1V
  • -2.5V
  • 2.5V
  • -1.45V

引脚节距

  • 11mm
  • 5.45mm
  • 2.285mm
  • 5.08mm
  • 2.28mm
  • 1.27mm
  • 1.7mm
  • 2.54mm

引线长度

  • 9.65mm
  • 9.8mm
  • 16.3mm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
INFINEON - BSP171PL6327 - 场效应管 MOSFET P 每卷1K INFINEON - BSP171PL6327 - 场效应管 MOSFET P 每卷1K
  • 晶体管极性:P 沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:-1.9A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.45ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SMD标号:BSP171P
  • 功率, Pd:1.8W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:70mJ
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.3mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:1.8W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:1000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • ??压, Vds 典型值:-60V
  • 电压变化率 dv/dt:6000V/μs
  • 电流, Id 连续:1.45A
  • 电流, Idm 脉冲:5.8A
  • 电流, Idss 典型值:0.00001μA
  • 电流, Idss 最大:0.001mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:-1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-2V
    		• 无库存 1,000 1 询价,无需注册 订购
    NXP - PHT6N06LT.135 - 场效应管 MOSFET N 每卷4K NXP - PHT6N06LT.135 - 场效应管 MOSFET N 每卷4K
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:5.5A
  • 电压, Vds 最大:55V
  • 开态电阻, Rds(on):0.15ohm
  • 电压 @ Rds测量:5V
  • 电压, Vgs 最高:13V
  • 功耗:8.3W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 功率, Pd:8.3W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:8.3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:4000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:55V
  • 电流, Id 连续:2.5A
  • 电流, Idm 脉冲:10A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
    		• 无库存 4,000 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BSS83.215 - 场效应管 MOSFET N SOT-143 每卷3K NXP - BSS83.215 - 场效应管 MOSFET N SOT-143 每卷3K
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:50mA
  • 电压, Vds 最大:10V
  • 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 功率, Pd:0.23W
  • 封装类型:SOT-143
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:0.23W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:3000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:10V
  • 电容值, Ciss 典型值:0.6pF
  • 电流, Id 连续:0.05A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.1V
  • 阈??电压, Vgs th 最高:2V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1    		 3,000 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - 场效应管 MOSFET N 每卷2500 STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - 场效应管 MOSFET N 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道(双）
  • 漏极电流, Id 最大值:4A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.7V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SMD标号:STS4DNF60L
  • 功率, Pd:2.5W
  • 外宽:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部长度/高度:1.75mm
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2.5W
  • 排距:6.3mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 电流, Idm 脉冲:16A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚格式:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6675 - 场效应管 MOSFET P SO-8 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6675 - 场效应管 MOSFET P SO-8 每卷2500
  • 晶体管极性:P沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:-11A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS6675
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:-30V
  • 电???, Id 连续:11A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:-3V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4435 - 场效应管 MOSFET P SO-8 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4435 - 场效应管 MOSFET P SO-8 每卷2500
  • 晶体管极性:P沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:-8.8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.02ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-25V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +175oC
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS4435
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:-30V
  • 电流, Id 连续:8.8A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-3V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS5680 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS5680 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.02ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:2.5V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS5680
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:60V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 脉冲电流, Idm N沟道(1):50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:4V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS5670 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS5670 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:10A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:2.4V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS5670
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:60V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 电流, Idm 脉冲:50A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6975 - 双MOSFET PP 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6975 - 双MOSFET PP 每卷2500
  • 晶体管极性:P沟道(双）
  • 漏极电流, Id 最大值:-6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.032ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-1.7V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS6975
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:-30V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-3V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8958A - 双MOSFET NP 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8958A - 双MOSFET NP 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.9V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS8958A
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极连续电流, Id N沟道(1):7A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.028ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.052ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6890A - 双MOSFET NN 每卷2500 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6890A - 双MOSFET NN 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道(双）
  • 漏极电流, Id 最大值:7.5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:800mV
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS6890A
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:7.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds:20V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI9435BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P 每卷2500 VISHAY SILICONIX - SI9435BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P 每卷2500
  • 晶体管极性:P沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:-5.7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.042ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-3V
  • 功耗:1.3W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • P沟道栅极电荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:1.3W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:-30V
  • 电流, Id 连续:4.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.042ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.07ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
  • 封装类型:卷装
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4850EY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 每卷2500 VISHAY SILICONIX - SI4850EY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:8.5A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开???电阻, Rds(on):0.022ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:1.7W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • N沟道栅极电荷 Qg:18nC
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:1.7W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 时间, t off:25ns
  • 时间, t on:10ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 电流, Idm 脉冲:40A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.031ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4500BDY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500 VISHAY SILICONIX - SI4500BDY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电??, Rds(on):0.02ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:1.5V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • N沟道栅极电荷 Qg:11nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:6nC
  • SMD标号:SI4500BDY
  • 功率, Pd:1.3W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最高电压, Vds P沟道:20V
  • 每卷数量:2500
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds N沟道 1:20V
  • 电压, Vds P沟道 1:20V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:9.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V N沟道:0.03ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V P沟道:0.06ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.1ohm
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.048ohm
    		• 无库存 2,500 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7850DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷3K VISHAY SILICONIX - SI7850DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 每卷3K
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:10.3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.031ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:1.8W
  • 封装类型:SOIC PowerPAK
  • 针脚数:8
  • N沟道栅极电荷 Qg:27nC
  • 功率, Pd:1.8W
  • 外宽:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部长度/高度:1.2mm
  • 封装类型:SOIC PowerPAK
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:1.8W
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:3000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:6.2A
  • 电流, Idm 脉冲:40A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.022ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
    		• 无库存 3,000 1 询价,无需注册 订购
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