| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
TOSHIBA - TB62202AFG(EL) - 芯片 二步进电机驱动器 40V 1.5A HSOP36 |
输出数:2
输出电流:600mA
输出电压:24V
封装类型:HSOP
针??数:36
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:HSOP
器件标号:62202
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
驱动芯片类型:电机驱动器
|
上海 0
新加坡 0
英国988 |
1 |
1 |
  |
 |
TOSHIBA - TB62201AFG(EL) - 芯片 二步进电机驱动器 40V 1A HSOP36 |
输出数:2
输出电流:1.5A
输出电压:40V
封装类型:HSOP
针脚数:36
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:HSOP
器件标号:62201
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
驱动芯片类型:电机驱动器
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM6K18TU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 20V SSOTFMLP |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:20V
开态电???, Rds(on):0.040ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:500mW
封装类型:UF6
封装类型:UF6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡 0
英???2857 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM6K06FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 1.1A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:300mW
封装类型:US6
封装类型:US6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡 0
英国2903 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K7002F(T5LFT - 场效应管 MOSFET N沟道 0.2A 60V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:200mW
封装类型:SOT-23
封装类型:S-Mini
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
|
上海 0
新加坡300
英国8167 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):3ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡 0
英国7693 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K15FS(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):4ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:SSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
|
上海 0
新加坡20
英国5528 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K14T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.039ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:700mW
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
|
上海 0
新加坡150
英国2113 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K09FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
|
上海 0
新加坡200
英???1636 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡217
英国1848 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K03FE(TPL3F) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):12ohm
电压 @ Rds测量:2.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:100mW
封装类型:ESM
封装类型:ESM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
|
上海 0
新加坡 0
英国7090 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3K02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 2.5A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡 0
英国769 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3J16FS(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 20V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:SSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡30
英???5507 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3J15TE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 30V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):12ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:TESM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0
新加坡 0
???国3755 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM3J02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 1.5A 30V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
|
上海 0
新加坡 0
英国1953 |
1 |
1 |
|
| 共 26 页 | 第 2 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
简体中文