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TOSHIBA - TPC6004(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 20V SOT23-6 TOSHIBA - TPC6004(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 20V SOT23-6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.024ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:12V
  • 功耗:2.2W
  • 封装类型:2-3T1A
  • 封装类型:VS-6
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2247
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - TPC6003(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 30V SOT23-6 TOSHIBA - TPC6003(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 30V SOT23-6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.024ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.2W
  • 封装类型:2-3T1A
  • 封装类型:VS-6
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4108(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 500V TO3P TOSHIBA - 2SK4108(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 500V TO3P
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.27ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:20A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡119
    英国235
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:40W
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:PW-MOLD
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡100
    英国698
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4017(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 60V TO251AA TOSHIBA - 2SK4017(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 60V TO251AA
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:20W
  • 封装类型:TO251AA
  • 封装类型:PW-MOLD2
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡600
    英国590
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4016(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 600V TO220IS TOSHIBA - 2SK4016(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 600V TO220IS
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:13A
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):0.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:50W
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:13A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国234
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:900V
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 电??? @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:45W
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:900V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国412
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:13A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:45W
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:13A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡36
    英国286
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):2.2ohm
  • ??压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:20W
  • 封装类型:TO251AA
  • 封装类型:PW-MOLD2
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:3A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1035
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20A
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):0.33ohm
  • 电压 @ Rds测???:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:20A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国111
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9A
  • 电压, Vds 最大:900V
  • 开态电阻, Rds(on):1.3ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:900V
  • 电流, Id 连续:9A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国3
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247 TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:70A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0058ohm
  • ??压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:70A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡50
    英国457
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - TLYK1100C(T11) - 发光二极管 PLCC2 590NM 黄色 TOSHIBA - TLYK1100C(T11) - 发光二极管 PLCC2 590NM 黄色
  • LED种类:标准
  • LED/灯尺寸:PLCC-2
  • LED颜色:Yellow
  • 照度, 典型值:400mcd
  • 主波长:590nm
  • 正向电压 Vf 最大:2.5V
  • 正向电流 If:20mA
  • 透镜形状:Round
  • 安装类型:SMD
  • 封装类型:SMD
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +100°C
  • 照度:400mcd
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国737
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - TLWK1100B(T11) - 发光二极管 PLCC2 1500MCD 白色 TOSHIBA - TLWK1100B(T11) - 发光二极管 PLCC2 1500MCD 白色
  • LED种类:标准
  • LED/灯尺寸:PLCC-2
  • LED颜色:White
  • 照度, 典型值:1500mcd
  • 正向电压 Vf 最大:3.8V
  • 正向电流 If:20mA
  • 透镜形状:Rectangular
  • 安装类型:SMD
  • 封装类型:SMD
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +100°C
  • 照度:1500mcd
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海45
    新加坡50
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - TLSK1100C(T11) - 发光二极管 PLCC2 613NM 红色 TOSHIBA - TLSK1100C(T11) - 发光二极管 PLCC2 613NM 红色
  • LED种类:标准
  • LED/灯尺寸:PLCC-2
  • LED颜色:Red
  • 照度, 典型值:500mcd
  • 主波长:613nm
  • 正向电压 Vf 最大:2.5V
  • 正向电流 If:20mA
  • 透镜形状:Round
  • 安装类型:SMD
  • 封装类型:SMD
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +100°C
  • 照度:500mcd
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国936
    1 1 询价,无需注册 订购
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